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ST(意法半导体)

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  • 意法半导体 MOSFET STW26NM60N

意法半导体 MOSFET STW26NM60N

类别:ST(意法半导体)

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  • 产品介绍
  • 产品参数
品牌
ST
批号
2020+
封装
T0-247
数量
1000000
制造商
STMicroelectronics
产品种类
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
5.15 mm
下降时间
50 ns
上升时间
25 ns
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
38 g
可售卖地
全国
型号
STW26NM60N

半导体芯片

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